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SI3447CDV-T1-E3 |
6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | Vishay Siliconix | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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SI3447CDV-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：12V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.8A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 6.3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：910pF @ 6V 功率 - 最大值：3W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 圆形 - 外壳AFD51-22-41PN-LC Card EdgeEMM08DRYI 固定式PM40-R82M PMIC - 稳压LM2853MH-0.8 矩形- 接头，公引C10-638975-000 圆形AFD56-12-8PW-6117 线性 - 放大器 ADD8704ACPZ-REEL7 铝电容器MVY35VC33RMF55TP PMIC - 稳压TPS54610QPWPRG4Q1 铝电容器35PK100MEFC6.3X11 |
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